KAIST开发新方法,成功突破MicroLED显示器分辨率限制
发布日期:2020-01-22        



 

据Business Korea报道,韩国研究团队KAIST提出一项能够突破Micro LED显示器分辨率限制的技术。新技术有望用来生产高分辨率小显示器,用于VR/AR等装置。

 

6日,KAIST宣布由电子工程系Kim Sang-hyun教授带领的研究小组研发了采用半导体制造技术生产每英寸超过63,500像素的技术。

 

Micro LED显示器使用微米尺寸的无机发光二极管作为像素点。鉴于此,红绿蓝(RGB)像素必须紧密排列,但能生产RGB三种颜色的LED材料各不相同,因此,每颗LED必须转录到显示基板上。

 

然而,在此过程中会产生很多技术难题,如LED转移头的尺寸限制、机械精度及良率降低等问题,因此,很难将此技术应用到超高分辨率的显示器上。

 

目前,KAIST研究团队已经开发出一种生产高分辨率Micro LED显示器设备的新方法。据悉,他们将红绿蓝LED有源层堆叠在3D空间之后再使用半导体图案化工艺。为解决在垂直堆叠RGB LED过程中产生的颜色干扰以及每个微小像素的效率等问题,该团队在结合面上放置具有滤光片特性的绝缘膜,将红色和蓝色干扰光线消除了97%。最后,研究团队成功实现每英寸超过6万像素的高分辨率,提高了微发光二极管的效率。LEDinside


来源:LEDinside
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