高通骁龙6系芯片下半年升级为10nm工艺
发布日期:2018-03-02        



在近日的MWC 2018世界移动通信大会上,联发科正式的发布了Helio P60芯片,这是基于台积电12nmFinFET工艺所打造,采用了四颗Cortex A73大核+4颗Cortex A53小核组成,最高CPU频率为2.0GHz,GPU为Mali-G72 MP3,频率为800MHz。

 

根据联发科Helio P60芯片数据曝光,这颗芯片定位中端,很有可能是专为抗衡高通骁龙6系芯片而来。不过日前根据网友草透露:2018年下半年高通骁龙6系以上芯片全线升级为10nm工艺制程,并开始向4系渗透,对联发科形成全面包围之势。

 

由此看来,联发科Helio P60想要打击到高通的芯片地位好像还有很长一段路要走。假如高通6系芯片升级到10nm工艺制程,可不仅仅是性能的大幅升级,功耗、发热控制等方面也会全面升级,届时很有可能是以联发科惨败收场。

 

根据之前国外科技媒体爆料,高通骁龙670将会采用六核心设计,并且是基于10nm制程工艺制造,两个高性能大核采用Kryo 300 Gold定制版架构,四个低功耗小核心为Kryo 300 Silver架构,这两种架构是高通分别在ARM的A75、A55架构的基础上自研的新架构。 

 


来源:SEMI
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