新一代5纳米制程芯片亮相,相较之前产品面积微缩24%
发布日期:2018-06-06        



在目前全球的芯片制造产业中,除了台积电、格罗方德、三星、英特尔拥有先进的生产技术,以其强大的生产能量可以生产先进逻辑运算芯片之外,爱美科(IMEC)则是在晶圆制造领域中技术研发领先的单位。因此,继日前台积电与南韩三星陆续透露其在5纳米先进制程的布局情况外,爱美科也在上周宣布了一项新的技术,制造了全球最小的SRAM芯片,其芯片面积比之前的产品缩小了24%,未来将可适用于先进的5纳米制程技术上。
  
  

事实上,由于结构简单等因素,使得每一代新制程中的研发人员往往都会使用SRAM芯片进行测试。结果就是谁造出的SRAM芯片核心面积更小,就意味着制程技术越先进。此前的纪录,是三星在2018年2月份的国际会议上宣布,期刊发出的6T256MbSRAM芯片,面积只有0.026mm2。不过,爱美科上周联合Unisantis公司开发的新一代6T256MbSRAM芯片打破了这个纪录,核心面积只有0.0184mm2到0.0205mm2,相比三星的SRAM微缩了24%。
  
  

爱美科表示,面积能大幅缩小的原因,就在于使用了新的晶体管结构。Unisantis与爱美科使用的是Unisantis所开发的垂直型环绕栅极(SurroundingGateTransistor,SGT)结构,最小栅极距只有50nm。这样的水平,与标准型GAA晶体管相比,垂直型SGT单元GAA晶体管面积能够缩小20%到30%,同时在工作电压、漏电流及稳定性上表现更佳。
  
  

目前爱美科正与Unisantis公司一起定制新制程的关键制程流程及步骤,预计透过一种新的制程协同优化DTCO技术,研发人员就能使用50nm间距制造出0.0205mm2的SRAM单元,而未来该制程也能够适用5纳米制程的节点。此外,该制程技术还能使用EUV极紫外光刻技术,减少制程步骤,这使得设计成本与传统FinFET制程相当。


来源:CSIA
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