2018半导体资本支出破1000亿美元 存储器占53%
发布日期:2018-09-12        



产业研究机构ICInsights预测,2018年半导体资本支出总额将增至1020亿美元,这是史上首次资本支出上超过1000亿美元,同时较2017年的933亿美元成长了9%,比2016年成长了38%。
  
  其中超过一半的资本支出预计用于存储器—主要是DRAM和Flash,包括对现有晶圆厂产线和全新制造设备的升级。预计今年存储器投资将占到半导体资本支出的53%。储存设备的资本支出在六年内大幅增加,几乎翻了一倍,从2013年的27%(147亿美元)增加到2018年的产业资本支出总额的53%(540亿美元),相当于2013~2018复合年成长率为30%。
  
  

在主要产品类别中,预计DRAM/SRAM的支出增幅最大,但预计Flash占今年资本支出的最大比重。预计2018年DRAM/SRAM部门的资本支出将在2017年强劲成长82%后再度出现41%的成长。预计2017年快闪存储器的资本支出将在2017年成长91%后,2018年再成长13%。
  
  

经过两年的资本支出大幅增加,一个迫在眉睫的主要问题是,高水平的支出是否会导致产能过剩和价格下降。记忆市场的历史先例表明,过多的支出通常会导致产能过剩和随后的价格疲软。三星、SK海力士、美光、英特尔、东芝/西部数据/SanDisk和XMC/长江存储技术都计划在未来几年内大幅提升3DNANDFlash容量(以及新的中国存储器新创公司进入市场),ICInsights认为,未来3DNANDFlash市场供需过剩的风险正不断提升当中。

 


来源:CSIA
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