芯片尺寸缩小五倍!英特尔新技术设想10年内取代CMOS
发布日期:2018-12-06        



 12月4日,英特尔在一项名为“自旋电子学”的技术领域取得了进展,未来芯片尺寸可缩小5倍,能耗最多可降低30倍。
  
  

英特尔和加州大学伯克利分校的研究人员展示了他们的“自旋电子学”方面的研究进展,这项新技术可以将未来的芯片尺寸缩小到目前的五分之一,能耗将降低10到30倍。
  
  

一直以来,芯片都依赖着CMOS技术,但随着元器件尺寸不断接近原子级别大小,芯片的发展也遇到瓶颈。
  
  

英特尔的这项研究是一种名为“磁电自旋轨道”(MESO)的逻辑元件,利用了多铁性材料的自旋性质,使用氧、铋和铁原子的晶格,提供有利的电磁属性以便外力可存储并读取信息。这种元件所需功率远小于CMOS晶体管。
  
  

研究人员表示,由于这种元件不需要电就能保留信息,所以它们可以在设备闲置时提供更加节能的睡眠模式。
  
  

英特尔高级院士指出,“我们正在研究超越CMOS的信息时代的革命性和非进化性方法。MESO以低压互连和低压磁电为基础。它将量子材料创新与计算结合在一起。我们对我们取得的进展感到非常兴奋,并期待着未来能进一步降低开关电压,发挥它更大的潜力。”
  
  

英特尔元件研究机构项目负责人SasikanthManipatruni在一份声明中说,“我们在努力在产业和晶体管研究领域引发新一轮创新。”《自然》杂志星期一发表了这项研究论文,Manipatruni是第一作者。
  
  虽然实验原型显示出很不错结果,但该技术尚处于起步阶段。根据研究人员的说法,该技术需要进行更多的研究,商用化还有很长的路要走,至少还需要十年。


来源:CSIA
点击查看网络原文>>

版权所有@ 北京市电子科技情报研究所 京公网安备 11010102003025号

地址:北京市东城区北河沿大街79号  邮编:100009  Email:bjdzqbs@126.com

在线人数:136

当日访问计数:1307

累计访问计数:38867142