紫光64层3D NAND芯片专利开发完成 2020年量产
发布日期:2018-08-10        



盛会“快闪存储器高峰会”(FlashMemorySummit)正式公布64层3DNAND芯片专利,向全球展现大陆已具备自主研发快闪存储器技术能力,并追上主流产品脚步,相关产品预计明年量产,加入全球列强竞逐快速成长的NAND芯片市场。

 

消息人士透露,紫光此次选在国际性盛会公布长江存储自行研发的64层3DNAND芯片专利,等于开放全球存储器大厂公开检视长江存储的64层3DNAND芯片技术布建,向全球宣示大陆在发展快闪存储器的脚步比前一期的32层产品更快,未来将会是3DNAND芯片供应链的重要一员。

 

据了解,长江存储董事长杨士宁今天亲自上阵,在美国SantaClara举行的“快闪存储器高峰会”正式发表长江存储的64层3DNAND芯片专利。目前全球仅三星、SK海力士、东芝、美光、英特尔等大厂有能力生产相关产品。

 

长江存储宣称32层3DNAND芯片良率已超过九成,不过由于产品市场接受力有限,长江存储只当做练兵,月产能仅5,000片,预料未来进入64层3DNAND芯片世代将加快量产规模,届时对NAND市场冲击加深,震撼业界。


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